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半导体表面异物分析方法介绍

发布:2024-03-08 15:36,更新:2024-05-14 07:00

在半导体化学、电子湿化学等领域的测试需求中,对物质基础特性的监控逐步加强。海怀检测拥有多台先进设备,具备痕量金属测试、痕量离子浓度测试等多项测试能力,深受广大用户好评。

       检测范围

       对半导体生产中的化学品进行金属含量和离子浓度测试,如UPW、HF、HCL、HNO3、H2SO4、H3PO4、NH4OH、Wafer表面、wafer本体、BOE、SC1、SC2、DEV、H2O2、IPA、NMP等进行痕量分析(ppt level)。
 
       常用检测方法

       电感耦合等离子体光谱/质谱 (ICP-AES/MS)、光电直读光谱、无机碳硫测试、无机氧氮氢测试、离子色谱 (IC)、总有机碳 (TOC)、化学湿法、X射线荧光光谱 (XRF)、原子吸收光谱 (AAS)、水分测试、辉光放电光谱/质谱 (GD-OES/MS)、有机元素分析测试(EA)、原子荧光光谱 (AFS)等。

       设备照片
       

电感耦合等离子体光谱/质谱
(ICP-AES/MS)
离子色谱(IC)无机氧氮氢测试仪X射线荧光光谱(XRF)


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