半导体集成管表面污染源分析方案

半导体的物理特性是由它的能带结构、载流子类型、导电机理和掺杂效应决定的。这些特性决定了半导体的导电性、光敏性、热敏性等，也影响了半导体器件的工作原理和性能。海怀检测实验室具备强大的理化分析测试能力，为半导体材料提供全方位物理特性检测。
       
       常用检测方法

       矢量网络 (VNA)、振动样品磁强计 (VSM)、介电性能测试、铁电性能测试、综合物性测量系统( PPMS / MPMS / SQUID - VSM）、霍尔效应 (HALL)、压电性能测试、磁学特性测量、塞贝克系数 (Seebeck)、PPMS-电阻率测试、四探针电阻率测试、低阻-电阻率测试(万用表/静电计)、雾度及透光率测试、电化学测试、表面光电压谱仪测试、红外发射率测试、气敏性能测试、光催化分解水、软磁性能测试、高阻-电阻率测试(高阻计)、太赫兹测试等。

       设备照片
             
 

显微结构表征是指通过显微镜等仪器来研究无机材料、复合材料、各种新材料等的显微组织大小、形貌、分布、数量的一种方法。 


       由于对复杂结构的高质量、快速分析和成像的需求日益增加，gaoji（扫描）透射电子显微镜 (S)TEM 已成为所有前沿晶片制造工作流程的必要部分。半导体设计师需要提供出色的灵活性和稳定性以及高分辨率成像的分析工具，以便正确分析和优化器件性能。

       除了成像外，还可对 (S)TEM 仪器使用一系列对半导体器件表征至关重要的技术，包括：用于晶体定向映射或应变分析的电子衍射、用于定性或定量成分分析的能量散射 X 射线谱 (EDS) 和用于成分和化学信息的电子能量损失谱 (EELS)。

       服务范围

       支持截面观察、量测与成分分析、与制备高质量的TEM样品等。
 
       常用检测方法

       FIB、SEM、TEM、球差TEM、EDS、EELS等。

       设备照片